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J-GLOBAL ID：200903054040199053

半導体装置の製造方法

Inventor：
久保 誠

About 久保 誠


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998232671
Publication number (International publication number)：2000068261
Application date： Aug. 19, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の製造方法で、特に多層配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜を少ない工程で形成するための製造方法。【解決手段】 半導体装置の製造で、多層配線工程中の層間絶縁膜の形成工程での低誘電率な第一絶縁膜3(アモルファスカーボン水素膜、アモルファスカーボンフッ素膜やアモルファスシリコン膜)の表面をプラズマ処理を施した後に、その表面上に第二の絶縁膜4を成膜する。
Claim (excerpt)：
表面に素子または配線を有する半導体基板の前記表面に第一の絶縁膜を堆積する半導体装置の製造方法において、前記第一の絶縁膜は、プラズマCVD法により形成された後に、その表面にN2 OガスとO2 ガスによるプラズマ処理、又はN2 ガスとNH3 ガスによるプラズマ処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 P
F-Term (62)：
5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AB39 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD03 ,  5F045AD05 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE11 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC52 ,  5F045GH03 ,  5F045HA13 ,  5F045HA16 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD10 ,  5F058AD12 ,  5F058AF02 ,  5F058AG07 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340282   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-340283   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068839   Applicant：川崎製鉄株式会社
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