強誘電性コンデンサを形成するための水素を含まない接触エッチング

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389228
Publication number (International publication number)：2001230382
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】頂部電極の下に位置する底部電極と、上記頂部電極と底部電極との間に位置する強誘電物質とから構成される強誘電性コンデンサの上記頂部電極への導電性接点を形成するための方法を提供する。【解決手段】頂部電極上に一つの層(図4dの408または312)を形成するステップと;水素を含まないエッチング剤を使用して、上記層内に開口部をエッチングすることにより上記頂部電極の一部を露出するために、上記層に上記開口部(図4dの414)を形成するステップと;頂部電極との電気的接続部を形成するために、上記開口部内に導電性材料(図4dの432)を蒸着するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

頂部電極の下に位置する底部電極と、前記頂部電極と底部電極との間に位置する強誘電物質とから構成されている強誘電性コンデンサの前記頂部電極への導電性接点を形成するための方法であって、前記頂部電極上に一つの層を形成するステップと、水素を含まないエッチング剤を使用して、前記層に開口部をエッチングすることにより前記頂部電極の一部を露出するために、前記層内に前記開口部を形成するステップと、頂部電極との電気的接続部を形成するために、前記開口部に導電性材料を蒸着するステップを含む方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 27/10 444 B , H01L 21/302 J , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161125 Applicant：日本電気株式会社
強誘電体メモリ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-095846 Applicant：日本電気株式会社
キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-270446 Applicant：三星電子株式会社

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