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J-GLOBAL ID：200903040175462888

粗面度が小さい半導体合金、およびその製造方法

Inventor： マイケル ウォード ,  ダグラス ウェブ ,  ジェイムズ セラー ,  ジェフリー ロビンソン
Applicant, Patent owner： インターナショナル レクティファイアー コーポレイション
Agent (2)： 竹沢 荘一 ,  中馬 典嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004365273
Publication number (International publication number)：2005236265
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】 組成比が徐々に変化し、粗面度が小さく、歪みが緩和されたSi1-xGex、およびこの製造方法を提供する。【解決手段】 粗面度が1nm未満で、歪みが緩和された、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<1)合金、好ましくは、表面のスレディング転位密度が1×105cm-2未満であり、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<0.3)合金を、蒸着その他の適当な方法によって、容易に形成する。この際、Si1-xGex/Siのような歪みの大きいヘテロ構造を形成するのに適した、低粗面度・低スレディング転位密度で、組成比が徐々に変化するシリコン-ゲルマニウム膜を形成するため、結晶の成長プロセスにおいて、所望により、ゲルマニウム前駆体の流量を変化させつつ、温度を適宜変化させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

粗面度が1nm未満で、かつ歪みが緩和されていることを特徴とする、組成比が徐々に変化するSi1-xGex(0<x<1)合金。

IPC (6)：

H01L21/20 ,  C01B33/06 ,  C22C28/00 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L29/161

FI (6)：

H01L21/20 ,  C01B33/06 ,  C22C28/00 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L29/161

F-Term (62)：

4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072BB10 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072HH03 ,  4G072HH04 ,  4G072HH07 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ25 ,  4G072JJ28 ,  4G072NN13 ,  4G072NN24 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR25 ,  4G072UU01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA09 ,  4K030BA48 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA08 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE23 ,  5F045BB12 ,  5F045DA58 ,  5F045DA69 ,  5F152LL03 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN07 ,  5F152LN14 ,  5F152LN15 ,  5F152NN03 ,  5F152NP04 ,  5F152NQ01 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,221,413号明細書
  
• 米国特許第5,810,924号明細書
  

Cited by examiner (5)

• 半導体デバイスおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-122818   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体表面の研磨方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-087850   Applicant：澤野憲太郎, 白木靖寛, 中川清和
• 歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-165690   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 格子整合半導体基板の形成
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-510018   Applicant：ユニバーシティーオブワーウィク
• 傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平11-505004   Applicant：マサチューセッツインスティチュートオブテクノロジー