歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001165690
Publication number (International publication number)：2002359188
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタにおいて、良質な歪みSi層を従来より厚く成膜すること。【解決手段】 Si基板上にSiGeバッファ層3を介して歪みSi層4を形成する方法であって、前記Si基板上に前記SiGeバッファ層を成膜する工程と、該SiGeバッファ層表面を研磨して該表面の少なくともクロスハッチ状の凹凸を平坦化する工程と、平坦化された前記SiGeバッファ層上に直接又は他のSiGe層を介して歪みSi層をエピタキシャル成長する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

Si基板上にSiGeバッファ層を介して歪みSi層を形成する方法であって、前記Si基板上に前記SiGeバッファ層を成膜する工程と、該SiGeバッファ層表面を研磨して該表面の少なくともクロスハッチ状の凹凸を平坦化する工程と、平坦化された前記SiGeバッファ層上に直接又は他のSiGe層を介して歪みSi層をエピタキシャル成長する工程とを有することを特徴とする歪みSi層の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/161 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/163

F-Term (30)：

5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045GH06 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F140AA01 , 5F140AA15 , 5F140AB01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BK13 , 5F140CD01 , 5F140CD06 , 5F140CE05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-505004 Applicant：マサチューセッツインスティチュートオブテクノロジー
歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238755 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page