窒化物系半導体の気相成長方法、及び、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006065651
Publication number (International publication number)：2007243006
Application date： Mar. 10, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを5nm以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。【解決手段】無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を1〜10kPaとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を900°C以上1100°C未満とすること。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を1〜10kPaとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を900°C以上1100°C未満とすることを特徴とする窒化物系半導体の気相成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 29/38

FI (4)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C30B29/38 D

F-Term (39)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077ED06 , 4G077FF02 , 4G077FF03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB05 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TC14 , 4G077TK01 , 5F041AA14 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F173AH22 , 5F173AP06 , 5F173AR81

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-311272 Applicant：日亜化学工業株式会社
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-142221 Applicant：ソニー株式会社
金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-586402 Applicant：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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