ALD装置およびALD方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002060518
Publication number (International publication number)：2002353154
Application date： Mar. 06, 2002
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ALDプロセスにおける制御を改良し、反応室内外への基板の搬送を自動化することができるALD装置およびALD方法を提供すること。【解決手段】 ALD装置は、気相反応物質による交互表面反応に基板7をさらすように構成された、基板7上に薄膜を成長させるALD装置であって、反応室を画定する複数の反応室内壁1と、反応室に気相反応物質を供給する1または複数の導入部20と、反応室からガス状の反応副生物および余剰の反応物質を排出する1または複数の排出部30と、処理の間、反応室内において基板7を支持する基板支持部2と、基板支持部2に支持されている間、基板7を所望の温度に維持する第1温度調節手段と、反応室内壁1を所望の温度に維持する第2温度調節手段とを含み、第1温度調節手段および第2温度調節手段が、独立して制御可能である。

Claim (excerpt)：

気相反応物質による交互表面反応に基板をさらすように構成された、該基板上に薄膜を成長させるALD装置であって、反応室を画定する複数の反応室内壁と、前記反応室に前記気相反応物質を供給する1または複数の導入部と、前記反応室からガス状の反応副生物および余剰の反応物質を排出する1または複数の排出部と、処理の間、前記反応室内において前記基板を支持する基板支持部と、該基板支持部に支持されている間、前記基板を所望の温度に維持する第1温度調節手段と、前記反応室内壁を所望の温度に維持する第2温度調節手段とを含み、前記第1温度調節手段および前記第2温度調節手段が、独立して制御可能であることを特徴とするALD装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , B01J 19/00 , C23C 16/46

FI (3)：

H01L 21/205 , B01J 19/00 K , C23C 16/46

F-Term (45)：

4G075AA24 , 4G075BA01 , 4G075CA02 , 4G075CA03 , 4G075DA18 , 4G075EA01 , 4G075EB01 , 4G075FC07 , 4K030AA03 , 4K030AA05 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA24 , 4K030BA09 , 4K030BA21 , 4K030BA35 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA45 , 4K030BA50 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA22 , 4K030KA23 , 4K030KA41 , 5F045AA15 , 5F045AB10 , 5F045AB21 , 5F045AB22 , 5F045AB31 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EJ03 , 5F045EK06 , 5F045EK10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-229189 Applicant：ソニー株式会社
薄膜気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-174339 Applicant：株式会社荏原製作所
特開平3-112130

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