Pat
J-GLOBAL ID：200903040472717623
マスクパターンデータ作成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003368669
Publication number (International publication number)：2005134520
Application date： Oct. 29, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】複雑なLSIパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することを課題とする。【解決手段】設計データに対して近接効果補正を施す工程(S12)と、プロセス余裕度が劣化する箇所を抽出する工程(S13)と、抽出されたプロセス余裕度が劣化する箇所に対してパターン補正を行う工程(S14)とを行うことにより高精度なパターン形成を実現する。以上のように、本発明のマスクパターンデータ作成方法によれば、複雑なLSIパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら補正欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することができる。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
設計データに対して近接効果補正を施す工程(a)と、
前記工程(a)の後にプロセス余裕度が劣化する箇所を抽出する工程(b)と、
抽出された前記プロセス余裕度が劣化する箇所に対してパターン補正を行う工程(c)とを備えることを特徴とするマスクパターンデータ作成方法。
IPC (3)：
G03F1/08
, G06F17/50
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G06F17/50 658M
, H01L21/30 502P
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 5B046AA08
, 5B046BA06
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