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J-GLOBAL ID：200903054202503851

マスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法

Inventor：
高畑 和宏

About 高畑 和宏

, 
橋本 耕治

About 橋本 耕治


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000327300
Publication number (International publication number)：2002131882
Application date： Oct. 26, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウェハ上にプロセス裕度及び補正精度が高いパターンを形成するマスクパターン補正方法を提供する。【解決手段】 所定のデザインルールに従って設計された、半導体装置の光露光工程において使用するマスクの設計パターンから、露光量と焦点距離の変動に対するプロセス裕度が所定の基準値に達していないパターンを抽出する第1ステップと、プロセス裕度が基準値を満たすようにパターンを補正する第2ステップとを少なくとも具備する。デザインルール上では製造可能であるが、光露光工程での露光量、焦点距離の変動によるパターン寸法の変動量が大きくなるパターンに対して、そのプロセス裕度を高めることができる。
Claim (excerpt)：
所定のデザインルールに従って設計された、半導体装置の光露光工程において使用するマスクの設計パターンから、露光量と焦点距離の変動に対するプロセス裕度が所定の基準値に達していないパターンを抽出する第1ステップと、前記プロセス裕度が前記基準値を満たすように前記パターンを補正する第2ステップとを少なくとも具備することを特徴とするマスクパターン補正方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (3)：
2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
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Cited by examiner (14)
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