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J-GLOBAL ID：200903040604898142

露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法

Inventor：
藤澤 忠仁

About 藤澤 忠仁

, 
井上 壮一

About 井上 壮一

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川野 健二

About 川野 健二

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伊藤 信一

About 伊藤 信一

, 
森 一朗

About 森 一朗


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274702
Publication number (International publication number)：2001102282
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】プロセスの変動要因により生じるマージンの減少を抑える。【解決手段】マスクには、ウェハ上での実効的な露光量とフォーカスをそれぞれ別々に分離してモニタするための露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークが配置され、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写し、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンを形成する工程と(ステップS4)、現像後に露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンの状態を測定する工程と(ステップS8)、測定結果に基づいて最適な露光量値と前記露光装置に設定された露光量設定値との差、並びに最適なフォーカス値と該露光装置に設定されたフォーカス設定値との差を算出し、算出された差に応じて露光装置のフォーカス設定値及び露光量設定値を変更する工程する工程(ステップS9)とを含む。
Claim (excerpt)：
露光装置によりマスク上の回路パターンをウェハに形成されたレジストに転写する際の露光量及びフォーカスの設定を行う露光装置の制御方法において、前記マスクには、ウェハ上での実効的な露光量とフォーカスをそれぞれ別々に分離してモニタするための露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークが配置され、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写し、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンを形成する工程と、露光後、或いは露光後の加熱後、加熱後の冷却工程中または冷却終了後の工程、現像中、或いは現像後の少なくともどこか1ヶ所において、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンの状態を測定する計測工程と、測定結果に基づいて、前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写する際の最適な露光量値と前記露光装置に設定された露光量設定値との差、並びに最適なフォーカス値と該露光装置に設定されたフォーカス設定値との差を算出する演算工程と、算出された差に応じて露光装置のフォーカス設定値及び露光量設定値を変更する工程とを含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/207
FI (3)：
G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 526 Z
F-Term (11)：
5F046AA17 ,  5F046BA04 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DA29 ,  5F046DD06 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EB02 ,  5F046EC05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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