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J-GLOBAL ID：200903040648732101

窒化ガリウム基III-V族化合物半導体発光ダイオードとその製造方法

Inventor：
洪 詳 竣

About 洪 詳 竣

, 
黄 振 斌

About 黄 振 斌

, 
易 乃 冠

About 易 乃 冠


Applicant, Patent owner：
炬▲しん▼科技股▲ふん▼有限公司

About 炬▲しん▼科技股▲ふん▼有限公司


Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004002940
Publication number (International publication number)：2005197506
Application date： Jan. 08, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：
【課題】光の散乱放射量を増加する窒化ガリウム系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】サファイアまたは炭化珪素製基板上に緩衝層を形成した後、前記緩衝層上にn-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長する第1工程と、前記沈殿層の上にマルチ量子井戸活性層を形成する第2工程と、前記活性層の上にp-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長した後、一部のn-GaN層の表面と、一部のマルチ量子井戸活性層と、一部のp-GaN層とを取り除き、n-GaN層が露出面を有する第3工程と、残ったp-GaN層上に、薄いNi/Au層をメッキする第4工程と、前記Ni/Au層上に厚さが1μm以上のZnO系窓層をメッキし、且つ前記Ni/Au層をZnO系窓層とp-GaN層間のオーム接触層とする第5工程と、ZnO系窓層の露出面を表面処理をすることにより、露出面が荒くなり又はエンボシング模様を有する第6工程とを含む。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
サファイアまたは炭化珪素を基板とし、前記基板の上面に緩衝層を形成した後、また、n-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長する第1工程と、 前記n-GaN系エピタキシャル沈殿層の上にマルチ量子井戸活性層を形成する第2工程と、 前記マルチ量子井戸活性層の上にp-GaN系のエピタキシャル沈殿層を成長した後、エッチング法により、一部のn-GaN層の表面と、一部のマルチ量子井戸活性層と、一部のp-GaN層とを取り除くことによって、n-GaN層に露出面を形成させる第3工程と、 エッチングした後に残ったp-GaN層の上に、極めて薄いNi/Au層をメッキする第4工程と、 前記Ni/Au層の表面に厚さが1μm以上のZnO系窓層をメッキし、且つ前記Ni/Au層を前記ZnO系窓層と前記p-GaN層の間のオーム接触層とする第5工程と、 n-GaN層の露出面の上にnタイプ金属電極を設置し、ZnO系窓層の上にpタイプ金属電極を設置し、且つZnO系窓層の露出面に表面処理を実施することにより、ZnO系窓層の露出面が荒くなり又はエンボシング模様を有する第6工程とを含み、 これにより、発光ダイオードによる発光デバイスが形成されたことを特徴とする窒化ガリウム基III-V族化合物半導体発光ダイオードの製造方法。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  C23C28/00
FI (4)：
H01L33/00 C ,  C23C28/00 C ,  C23C28/00 D ,  C23C28/00 E
F-Term (26)：
4K044AA13 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BB10 ,  4K044BB15 ,  4K044BC00 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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