Pat

J-GLOBAL ID：200903053017005180

窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法、および窒化物系半導体レーザ素子

Inventor： 藤本 英俊 ,  杉浦 理砂 ,  斎藤 真司 ,  野崎 千晴 ,  板谷 和彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999186544
Publication number (International publication number)：2001015809
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系半導体発光素子において、活性層の発光特性を向上させる製法および素子構造を提供すること。【解決手段】 少なくとも発光層がInを含む窒化物系半導体層からなり、上記発光層の成長速度が6nm/分以上であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも発光層がInを含む窒化物系半導体層からなり、上記発光層の成長速度が6nm/分以上であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343

F-Term (46)：

5F041AA03 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EK03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-146263   Applicant：株式会社東芝
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-059100   Applicant：住友化学工業株式会社
• InGaN層を有する半導体ウエハ及びその製造方法並びにそれを具備する発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-107956   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038138   Applicant：富士通株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-261477   Applicant：住友化学工業株式会社