半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉武賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003193785
Publication number (International publication number)：2003347586
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】動作電圧の上昇や歩留まりの低下を抑えながら、光の取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子において、発光素子の光取り出し面の表面に、単数または複数のレンズ形状の凸部を形成する。これにより、活性層から放出された光の取り出し効率すなわち、外部量子効率を高くすることができる。また、光取り出し面側のp型GaN層を、結晶成長後にp型ドーパントを拡散させる方法によって、表面付近のp型ドーパント濃度が高い層になるようにしたので、ドーパント濃度を高めながら表面荒れを防止し、動作電圧の上昇や歩留まりの低下を抑えることができる。

Claim (excerpt)：

発光層と、前記発光層上に形成された窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層上に形成された透明電極と、を備え、前記透明電極の表面に集光性を有する単数又は複数のレンズ形状の凸部が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (13)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA99 , 5F041EE17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-320372 Applicant：三洋電機株式会社
半導体発光素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006806 Applicant：シャープ株式会社
光半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-158291 Applicant：株式会社東芝

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