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J-GLOBAL ID:200903040902693383

プラズマCVD装置及びプラズマ表面処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 満
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006247972
Publication number (International publication number):2007119908
Application date: Sep. 13, 2006
Publication date: May. 17, 2007
Summary:
【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】チャンバー10内の陽極11aの載置面に基板1が載置される。陽極に対向する陰極13には流路13aが形成され、冷却水が通される。陽極11aと陰極13とに電圧を印加して、プラズマにより基板1上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極11aを冷却部材12で冷却して基板1を所定の温度に急冷する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
処理対象体が載置される載置面及び第1の電極を有する載置台と、 前記第1の電極に対向し、前記第1の電極との間でプラズマを発生させる第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加する電圧設定部と、 前記処理対象体から熱を奪う冷却部材と、 を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (8):
C23C 16/44 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/26 ,  C01B 31/02 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314
FI (8):
C23C16/44 Z ,  C23C16/509 ,  C23C16/46 ,  C23C16/26 ,  C01B31/02 101Z ,  C01B31/06 A ,  H01L21/31 C ,  H01L21/314 M
F-Term (65):
4G146AA01 ,  4G146AA04 ,  4G146AA07 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02B ,  4G146AC03B ,  4G146AC15B ,  4G146AC16B ,  4G146AC17B ,  4G146AD23 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC07 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146DA16 ,  4G146DA41 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB11 ,  4K030FA03 ,  4K030KA18 ,  4K030KA26 ,  5C127AA01 ,  5C127DD09 ,  5C127EE15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045BB04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH09 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05 ,  5F045GB11 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F045HA23 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AD12 ,  5F058BA12 ,  5F058BC14 ,  5F058BF07 ,  5F058BG01 ,  5F058BG03 ,  5F058BG10 ,  5F058BH01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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