Pat
J-GLOBAL ID:200903040902693383
プラズマCVD装置及びプラズマ表面処理方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
木村 満
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006247972
Publication number (International publication number):2007119908
Application date: Sep. 13, 2006
Publication date: May. 17, 2007
Summary:
【課題】電子放出特性に優れた電極を製造するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】チャンバー10内の陽極11aの載置面に基板1が載置される。陽極に対向する陰極13には流路13aが形成され、冷却水が通される。陽極11aと陰極13とに電圧を印加して、プラズマにより基板1上に、カーボンナノウォールの層を形成し、その後、陽極11aを冷却部材12で冷却して基板1を所定の温度に急冷する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
処理対象体が載置される載置面及び第1の電極を有する載置台と、
前記第1の電極に対向し、前記第1の電極との間でプラズマを発生させる第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加する電圧設定部と、
前記処理対象体から熱を奪う冷却部材と、
を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (8):
C23C 16/44
, C23C 16/509
, C23C 16/46
, C23C 16/26
, C01B 31/02
, C01B 31/06
, H01L 21/31
, H01L 21/314
FI (8):
C23C16/44 Z
, C23C16/509
, C23C16/46
, C23C16/26
, C01B31/02 101Z
, C01B31/06 A
, H01L21/31 C
, H01L21/314 M
F-Term (65):
4G146AA01
, 4G146AA04
, 4G146AA07
, 4G146AA19
, 4G146AB07
, 4G146AC02B
, 4G146AC03B
, 4G146AC15B
, 4G146AC16B
, 4G146AC17B
, 4G146AD23
, 4G146AD29
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC07
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC34B
, 4G146DA16
, 4G146DA41
, 4K030BA27
, 4K030BA28
, 4K030BB11
, 4K030FA03
, 4K030KA18
, 4K030KA26
, 5C127AA01
, 5C127DD09
, 5C127EE15
, 5F045AA08
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AE29
, 5F045AE30
, 5F045BB04
, 5F045EH08
, 5F045EH09
, 5F045EH19
, 5F045EJ02
, 5F045EJ03
, 5F045EJ05
, 5F045EJ09
, 5F045EM10
, 5F045GB05
, 5F045GB11
, 5F045HA16
, 5F045HA22
, 5F045HA23
, 5F058AA08
, 5F058AA10
, 5F058AD12
, 5F058BA12
, 5F058BC14
, 5F058BF07
, 5F058BG01
, 5F058BG03
, 5F058BG10
, 5F058BH01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
ダイヤモンド様炭素膜積層体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-307435
Applicant:科学技術振興事業団, ミツミ電機株式会社
-
堆積膜形成方法、堆積膜形成装置、電子写真感光体の製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-015844
Applicant:キヤノン株式会社
-
ダイヤモンド薄膜の気相合成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-168238
Applicant:岩谷産業株式会社, イワタニプランテック株式会社
-
炭素薄膜成膜方法および成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-069986
Applicant:松下電器産業株式会社
-
ヒータユニット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-075772
Applicant:住友電気工業株式会社
-
特開平1-157412
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Cited by examiner (7)
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堆積膜形成方法、堆積膜形成装置、電子写真感光体の製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-015844
Applicant:キヤノン株式会社
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ダイヤモンド薄膜の気相合成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-168238
Applicant:岩谷産業株式会社, イワタニプランテック株式会社
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炭素薄膜成膜方法および成膜装置
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Application number:特願2003-069986
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ヒータユニット
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Application number:特願2004-075772
Applicant:住友電気工業株式会社
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ダイヤモンド様炭素膜積層体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-307435
Applicant:科学技術振興事業団, ミツミ電機株式会社
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特開平1-157412
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特開平1-157412
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