半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007312001
Publication number (International publication number)：2009135360
Application date： Dec. 03, 2007
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：

【課題】ドレイン-ソース間耐圧を維持したまま低オン抵抗化が可能となる低耐圧パワーMOSFETのような微細なパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】縦形トレンチMOSFETにおいて、下面にドレイン電極111を有するN+形基板101の上面に形成されたN形エピタキシャル層102と、表面からN形エピタキシャル層102内に延在するゲートトレンチと、ゲートトレンチ内に絶縁膜を挟んで位置するゲート電極105と、N形エピタキシャル層102上に形成されたチャネル領域103と、チャネル領域103上に形成されたソース領域104と、ソース領域104上に形成されたソース電極110と、表面からN形エピタキシャル層102内に延在するソーストレンチと、ソーストレンチ内に絶縁膜を挟んで位置するトレンチソース電極108とを備え、ソース電極110がトレンチソース電極108と接触している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下面に裏面電極を有する半導体基板の上面に形成された第1導電形の第1半導体領域と、半導体装置表面から前記第1半導体領域内に延在するゲートトレンチと、前記ゲートトレンチ内に絶縁膜を挟んで位置するゲート電極と、前記ゲートトレンチに隣接し、前記第1半導体領域上に形成された第2導電形の第2半導体領域と、前記ゲートトレンチに隣接し、前記第2半導体領域上に形成された第1導電形の第3半導体領域と、前記第3半導体領域上に形成されたフィールド電極と、前記半導体装置表面から前記第1半導体領域内に延在するフィールドトレンチと、前記フィールドトレンチ内に絶縁膜を挟んで位置するトレンチフィールド電極とを備え、前記フィールド電極が前記トレンチフィールド電極と接触していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (3)：

H01L29/78 652B , H01L29/78 653A , H01L29/78 652P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-003803 Applicant：NECエレクトロニクス株式会社

Cited by examiner (7)

トレンチベースのソースおよびゲート電極を有するパワーデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-248465 Applicant：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191578 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭59-016379

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