半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005003803
Publication number (International publication number)：2006196518
Application date： Jan. 11, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】スーパージャンクション構造を有する半導体装置のスーパージャンクション効果を高めるとともに、耐圧劣化を防ぐ。【解決手段】半導体装置100は、ゲート電極108が形成された素子形成領域と、素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域118域が形成された外周領域と、を有する。半導体基板101の主面には、N型ドリフト領域104およびP型コラム領域106が交互に配置された並列pn層が形成される。外周領域において、N型ドリフト領域104上にはフィールド電極120が形成されるが、フィールド電極120は、P型コラム領域106上には形成されていない。外周領域のP型コラム領域106は、素子形成領域のP型コラム領域106の深さ以上の深さに形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極が形成された素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域が形成された外周領域と、を有する第一導電型の基板と、前記素子形成領域および前記外周領域の一部にかけて、前記基板の主面に形成された第一導電型のドリフト領域および第二導電型のコラム領域が交互に配置された並列pn層と、前記外周領域上に形成されたフィールド電極と、を含み、前記外周領域において、前記フィールド電極の前記素子形成領域側の端部よりも前記外周領域側に形成された少なくとも一の前記コラム領域が、前記素子形成領域に形成された前記コラム領域の深さ以上の深さに形成され、前記フィールド電極は、前記素子形成領域に形成された前記コラム領域の深さ以上の深さに形成された前記コラム領域直上には形成されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/06 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 652F , H01L29/78 652H , H01L29/78 653C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

超接合半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-189590 Applicant：富士電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-074633 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

超接合半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-320875 Applicant：富士電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-074633 Applicant：株式会社東芝
半導体構成素子のための耐高圧縁部構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-519469 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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