窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169045
Publication number (International publication number)：1999017223
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】光の取り出し効率が高く、比較的簡易な構成で、コストが低く、信頼性の高い窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、第1の層と、多重光反射層とを種々の形態に配置し、基板を透過させて光を取り出すようにすることにより、光の取り出し効率が極めて高く、駆動電圧も低減することができる。さらに、このような発光素子を種々の形態に実装することにより、高性能の発光装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

透光性基板と、窒化ガリウム系半導体からなる発光層と、第1の層と、前記第1の層とは光屈折率が異なる第2の層とを交互に複数層ずつ積層させた光反射層と、を備え、前記発光層から放出された光を前記光反射層により反射させて、前記透光性基板を透過させて外部に取り出すことができるように、前記発光層は前記透光性基板と前記光反射層との間に積層されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
特開平3-016278
積層半導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-348400 Applicant：シャープ株式会社

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