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J-GLOBAL ID：200903041427898176

半導体記憶装置

Inventor：
秋田 浩伸

About 秋田 浩伸

, 
土田 賢二

About 土田 賢二


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249730
Publication number (International publication number)：2002063789
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】センスアンプの駆動線のオーバドライブに際し、読み出しマージンの低下を回避する回路構成を備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、ビット線BLのプリチャージ電位1/2Vaaの変動分δVaaをセルキャパシタのプレート電極に帰還することにより、ビット線BLのプリチャージ電位が1/2Vaaから上昇しても、次の動作サイクルにおいて読み出し信号の電位の低下を生じない帰還回路を有する。また、半導体記憶装置の電源線とプリチャージ回路及びプレート電極とを接続するスイッチを用いて、ビット線BLのプリチャージ電位を1/2Vaaに引き戻すようにし、読み出し動作マージンの低下を回避することを可能にする。
Claim (excerpt)：
蓄積ノード電極及びプレート電極を備え、セルトランジスタを介してビット線に接続されたセルキャパシタと、前記ビット線にプリチャージ電位を付与するプリチャージ回路とを有し、前記ビット線のプリチャージ電位の変動が前記セルキャパシタのプレート電極に帰還されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C 11/404 ,  G11C 11/409
FI (2)：
G11C 11/34 352 D ,  G11C 11/34 353 F
F-Term (6)：
5B024AA03 ,  5B024BA02 ,  5B024BA05 ,  5B024BA07 ,  5B024BA09 ,  5B024CA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-178094   Applicant：三菱電機株式会社
  • ダイナミック型半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-046439   Applicant：株式会社東芝
  • 1/2VCC発生回路の共用化方式
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-348919   Applicant：三洋電機株式会社
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