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J-GLOBAL ID：200903041708390830

半導体装置の製造装置

Inventor：
幡井 徹也

About 幡井 徹也

, 
田渕 宏樹

About 田渕 宏樹

, 
井上 雅史

About 井上 雅史


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997068615
Publication number (International publication number)：1998268505
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 線幅が露光光の波長と同程度であるレジストパターン、あるいは近接する各レジストパターンの間隔が露光光の波長と同程度であるレジストパターンの形成に際して、該レジストパターンの角部の後退を抑制するとともに、該角部から露光光の波長と同程度離れた位置にあるレジストパターンに変形を生じさせないフォトマスクのマスクパターンを提供する。【解決手段】 縮小投影用のフォトマスクのマスクパターンとして、線幅と間隔が露光光の波長と同程度であるクロムパターン1・2が、クロムパターン1の長手方向の辺に対して、クロムパターン2の長手方向の辺がほぼ直角に透明基板上に形成されている。そして、露光光の波長以下の大きさで、露光光の減光もしくは位相シフトの機能を有する補助パターン3a・4aを、上記のクロムパターン1の先端部の両角部に、その一部分を重ね合わせるように設ける。
Claim (excerpt)：
フォトマスクを通して、ポジ型レジストに露光光を照射し、レジストパターンの線幅が該露光光の波長と同程度であるパターン、あるいは隣接する各レジストパターンの間隔が該露光光の波長と同程度であるパターンを形成する半導体装置の製造装置において、上記フォトマスクは、上記レジストパターンに対応するマスクパターンの角部に、上記露光光を減光する機能、および上記露光光の位相を変える機能の少なくとも一つの機能を有する、該露光光の波長以下の大きさの補助パターンが設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 1/08 P ,  H01L 21/30 502 P
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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