GaN系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234390
Publication number (International publication number)：1999074560
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】結晶性が極めて優れたGaN系化合物半導体層を形成することにより、発光特性や電気的特性の向上が図られたGaN系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、燐(P)および砒素(As)のうちの少なくともいずれかを含む化合物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられたGaN系化合物半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とするものして構成することにより、基板とGaN系化合物半導体層の間で生ずる格子不整合に起因する歪みを緩和して、結晶性の良好なGaN系化合物半導体層からなる発光素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に設けられ、燐(P)および砒素(As)のうちの少なくともいずれかを含む化合物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられたGaN系化合物半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , C23C 16/34

FI (2)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235013 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213676 Applicant：ローム株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-141750 Applicant：株式会社日立製作所

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