MIMキャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996332541
Publication number (International publication number)：1997289287
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 STOキャパシタにおいて、STOからなる誘電体層121と、該誘電体層上の上部電極123との密着性を向上するとともに、該誘電体層と上部電極との間の界面特性を熱的に安定なものとして、昇温プロセスによるリーク電流の増大を小さく抑える。【解決手段】 MIMキャパシタ120の誘電体層121を、通常半導体装置に採用されている酸化シリコンや窒化シリコンなどに比べて比誘電率が高いSTO(SrTiO3)により構成し、該誘電体層上の上部電極123を、前記誘電体層表面上に形成されたPt層と、該Pt層上に形成されたTi層と、該Ti層上に形成されたAu層とからなる3層構造とした。

Claim (excerpt)：

下部電極と上部電極との間に誘電体層を挟持してなるMIMキャパシタであって、該誘電体層は、高誘電体であるSrTiO3から構成されており、該誘電体層上にこれと密着して設けられている上部電極は、該誘電体層表面上に形成されたPt層と、該Pt層上に形成されたTi層とを含む多層構造となっているMIMキャパシタ。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

誘電体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-047488 Applicant：富士通株式会社
半導体集積回路装置、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-135790 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-060035 Applicant：松下電子工業株式会社

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