半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209271
Publication number (International publication number)：1998041545
Application date： Jul. 19, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】超格子構造の発光層を持つ半導体発光素子の発光効率を向上する。【解決手段】3族窒化物半導体で形成されるn伝導型の第1の半導体層とp伝導型の第2の半導体層と間に、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層を設ける。量子井戸層の層厚を1〜10nmに、バリア層の層厚を0.2〜2nmに選択する。この発明の適用された発光ダイオードが実施例として説明されている。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、n伝導型の第1の半導体層と、p伝導型の第2の半導体層と、前記第1と第2の半導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-314770 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化物系化合物半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034576 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190466 Applicant：松下電器産業株式会社

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