原子ビーム発生方法及び装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166768
Publication number (International publication number)：2001343496
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】簡単な構成の真空装置により、高い取出し効率で、流量の調整が可能であると共に、多くの原子種に対して適用可能であるようにした、高流量の原子ビームを発生させるための原子ビーム発生方法及び装置を提供する。【解決手段】レーザ冷却を利用して形成した低温原子集団より原子を取り出して原子ビームを生成する原子ビーム発生装置10を用いて、互いに進行方向が逆のレーザビーム2本を有する2組以上のレーザ光13a,13bの交差領域15において、各レーザ光の組の内の特定の方向に進行する1本のレーザビームの一部を原子ビームを輸送する管14により遮って、レーザビームの陰の領域16を作ることにより、この陰の領域で原子を特定の方向に押す力を生じさせて原子ビーム18を発生させる。

Claim (excerpt)：

レーザビーム冷却を利用して形成した低温原子集団より原子を取り出して原子ビームを生成する原子ビーム発生方法であって、互いに進行方向が逆の上記レーザビーム2本を有する2組以上のレーザ光の交差領域において、各レーザ光の組の内の特定の方向に進行する1本のレーザビームの一部を遮ってこのレーザビームの陰を作ることにより、この陰の領域で原子を特定の方向に押す力を生じさせて上記原子ビームを発生させることを特徴とする原子ビーム発生方法。

FI (2)：

G21K 1/00 A , G21K 1/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

低速原子ビーム生成法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256527 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平3-101419
高純度薄膜作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131006 Applicant：住友金属鉱山株式会社

Show all

Return to Previous Page