半導体素子の製造方法、及び半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115659
Publication number (International publication number)：2000312054
Application date： Apr. 23, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 1回の結晶成長で光集積素子の導波路構造を作製し、また、それに適した素子構造を提供する。【解決手段】凹凸基板の上に、窒素と窒素以外のV族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を積層し、凹凸に対応して窒素の取り込みが変化することを利用する。

Claim (excerpt)：

凹部及び/又は凸部を形成して複数の異なる結晶面を露出させた半導体基板上に、窒素と窒素以外のV族元素とを共に組成として含む化合物半導体層を結晶成長させる工程を含んでなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6)：

H01S 5/24 , H01L 21/205 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01L 31/0232 , H01L 21/203

FI (8)：

H01S 3/18 667 , H01L 21/205 , H01L 27/15 C , H01L 27/15 D , H01L 21/203 M , H01L 27/14 D , H01L 27/14 Z , H01L 31/02 D

F-Term (62)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA01 , 4M118FC03 , 4M118FC17 , 4M118GA10 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DQ08 , 5F045EE19 , 5F045HA14 , 5F073AA20 , 5F073AA26 , 5F073AA45 , 5F073AA64 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA86 , 5F073AB04 , 5F073AB13 , 5F073AB25 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073EA02 , 5F088AA03 , 5F088AB07 , 5F088BA15 , 5F088CB04 , 5F088EA09 , 5F088GA05 , 5F088LA01 , 5F088LA09 , 5F103AA04 , 5F103BB06 , 5F103BB59 , 5F103DD03 , 5F103DD05 , 5F103DD08 , 5F103DD30 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103LL04 , 5F103LL17 , 5F103PP06 , 5F103RR01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体素子及び双方向光送受信モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-130203 Applicant：沖電気工業株式会社
光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-010705 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255413 Applicant：株式会社リコー

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