半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996255413
Publication number (International publication number)：1998084131
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】良好な温度特性をもち長波長化が可能であって、かつ、作製工程が容易な構造の半導体発光素子を提供する。【解決手段】第1導電型のGaAs基板101上に、少なくとも、GaAsよりもバンドギャップエネルギーが小さいとともに屈折率が大きい材料からなる活性層105と、第1導電型の下部クラッド層103と、第2導電型の第1上部クラッド層107と、第2導電型の第2上部クラッド層109と、電流を狭窄するための第1導電型の電流ブロック層108とを有し、電流ブロック層108は、GaAsよりバンドギャップエネルギーが小さい材料からなり、活性層105で発光した光を吸収する層としての機能をも有している。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に形成される半導体発光素子において、GaAsよりもバンドギャップエネルギーの小さい材料からなる活性層と、前記活性層の近傍に形成され、前記活性層で発光した光を吸収する層とを有していることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (26)

歪量子井戸半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070599 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-296210 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-297128 Applicant：富士通株式会社

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