Pat
J-GLOBAL ID:200903055118852944

分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法、並びに露光方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996092854
Publication number (International publication number):1997283841
Application date: Apr. 15, 1996
Publication date: Oct. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 屈折率結合による分布帰還と利得結合による分布帰還とが混在する分布帰還型半導体レーザ装置100において、誘導放出光の高速での直接変調を行った時にも発振波長を単一波長に保持する。【解決手段】 誘導放出光を発生する活性層105を含み、かつ該誘導放出光の導波方向にて該誘導放出光に対する屈折率及び利得が同一の単一周期でもって周期的に変動した、屈折率分布及び利得分布を有する素子構造として回折格子107を備え、該回折格子107を、その屈折率及び利得の周期的な変動における位相の不連続部100aを有し、該位相の不連続部では、0[rad]より大きくかつπ[rad]より小さい範囲、またはπ[rad]より大きくかつ2π[rad]より小さい範囲で位相がシフトした構成とした。
Claim (excerpt):
誘導放出光を発生する活性層を含み、かつ該誘導放出光の導波方向にて該誘導放出光に対する屈折率及び利得が同一の単一周期でもって周期的に変動した、屈折率分布及び利得分布を有する素子構造を備え、該誘導放出光が該屈折率及び利得の周期的な変動により光分布帰還を受けてレーザ発振が生ずるよう構成した分布帰還型半導体レーザ装置であって、該素子構造は、その屈折率及び利得の周期的な変動における位相の不連続部を有し、該位相の不連続部では、0[rad]より大きくかつπ[rad]より小さい範囲、またはπ[rad]より大きくかつ2π[rad]より小さい範囲で位相がシフトしている分布帰還型半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-271431   Applicant:株式会社日立製作所
  • 回折格子の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-360942   Applicant:キヤノン株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-273748   Applicant:株式会社日立製作所
Show all

Return to Previous Page