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J-GLOBAL ID：200903042252472410

ナノチューブを有するキャパシタ及びその製造方法

Inventor： 李 銀 兒 ,  ▲ジョ▼ 豪 辰 ,  金 榮 大 ,  張 準 洙 ,  蔡 洙 振 ,  金 海 元
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006015432
Publication number (International publication number)：2006287197
Application date： Jan. 24, 2006
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】無触媒層でナノチューブが形成され、充電容量を大きく確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】下部電極に用いられる導電膜パターン27Aを形成するステップと、導電膜パターン27Aの表面上に触媒を使用せずにひげ状のナノチューブ28を形成するステップと、ナノチューブ28を含む導電膜パターン27A上に誘電膜29を形成するステップと、誘電膜29上に上部電極30を形成するステップとを含む。【選択図】図3E

Claim (excerpt)：

導電膜パターン、及び前記導電膜パターンの表面上で触媒を使用せずにひげ状に成長したナノチューブを有する下部電極と、 前記下部電極上に形成された誘電膜と、 前記誘電膜上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とするキャパシタ。

IPC (5)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C30B 29/62 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/24

FI (6)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651 ,  C30B29/62 Z ,  C30B29/62 U ,  C23C14/14 A ,  C23C16/24

F-Term (56)：

4G072AA01 ,  4G072BB20 ,  4G072GG01 ,  4G072HH04 ,  4G072HH28 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072NN13 ,  4G072UU30 ,  4G077AA04 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077DB15 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077HA06 ,  4G146AA11 ,  4G146AD28 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146BC38A ,  4K029BA35 ,  4K029BB10 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K030BA30 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F083AD24 ,  5F083AD60 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 韓国公開特許公報10-2004-0069492
  
• 集積回路素子の容量を増加させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-181128   Applicant：財団法人工業技術研究院
• シリンダー型容量素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-008039   Applicant：日本電気株式会社
• 炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-085571   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• シリコンナノワイヤーの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-086558   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (4)

• 集積回路素子の容量を増加させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-181128   Applicant：財団法人工業技術研究院
• シリンダー型容量素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-008039   Applicant：日本電気株式会社
• 炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-085571   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• シリコンナノワイヤーの製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-086558   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構