シリンダー型容量素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲垣清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000008039
Publication number (International publication number)：2001196562
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】シリンダー構造を有するDRAMキャパシタ部において、下部電極上にブランケットHSGを形成する際、シリンダー側壁に接する酸化膜を露出させることなく、所望のグレインサイズを持つHSGを得る。【解決手段】 LP-CVD装置を用いてシリンダー型容量素子を製造するに当たり、シリンダー側壁となる下部電極膜11を形成する第一の段階と、下部電極膜の表面に酸化層12を形成する第二の段階と、酸化層の表面にHSG13を形成する第三の段階と、不純物を拡散する第四の段階を同一バッチで行う。

Claim (excerpt)：

LP-CVD装置を用いたシリンダー型容量素子の製造方法であって、シリンダー側壁となる下部電極膜を形成する第一の段階と、前記下部電極膜の表面に酸化層を形成する第二の段階と、前記酸化層の表面にHSGを形成する第三の段階とを具備し、かつ、前記第一〜第三の段階を同一バッチで行うことを特徴とするシリンダー型容量素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 27/10 621 C

F-Term (24)：

5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AD09 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045CB10 , 5F045HA16 , 5F045HA20 , 5F045HA23 , 5F083AD24 , 5F083AD62 , 5F083GA09 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体メモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225826 Applicant：沖電気工業株式会社, 株式会社日立製作所
コンデンサおよびメモリ構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-081971 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
筒状ストレージノードの形成方法及びメモリセルの形成方法並びにメモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077329 Applicant：三菱電機株式会社

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