磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002106926
Publication number (International publication number)：2003304010
Application date： Apr. 09, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】これまでにない新規な材料を強磁性層に適用することにより、書き込み特性及び読み出し特性を同時に向上する。【解決手段】一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含む。上記強磁性材料は、FeaCobNicBd(式中、a、b、c及びdは原子%を表す。また、5≦a≦45、35≦b≦85、0<c≦35、10≦d≦30である。また、a+b+c+d=100である。)を含有することが好ましい。

Claim (excerpt)：

一対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子において、上記強磁性層のうち少なくとも一方は、Fe、Co及びBを含有する強磁性材料を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , H01F 10/16 , H01F 10/187 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 M , H01L 43/08 Z , H01F 10/16 , H01F 10/187 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

F-Term (19)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC01 , 5E049AC05 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-025994 Applicant：株式会社東芝
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-096118 Applicant：キヤノン株式会社
磁性薄膜メモリおよびその記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-359633 Applicant：キヤノン株式会社

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