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J-GLOBAL ID：200903042354746956

電子デバイス、磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、記録再生装置、メモリ素子、メモリアレイ、および電子デバイスの製造方法および磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor：
榊間 博

About 榊間 博


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004178723
Publication number (International publication number)：2005039228
Application date： Jun. 16, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【課題】 導電率のばらつきがない電子デバイスを提供する。【解決手段】 電子デバイス100は、電極2および3と、電極2および3上に電気的に接続された金属導体薄膜7とを備え、金属導体薄膜7は、電極2および3の隙間をブリッジする金属導体部1を含み、金属導体部1のブリッジ長さLは、電子デバイス100の作動温度における金属導体部1中の電子の平均自由行程Λ以下であり、電子デバイス100は、ブリッジ長さLの隙間を空けて電極2および3を基板8上に形成する工程と、ナノチューブおよびナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも1つを含み、電極2および3の隙間をブリッジする支持体4を形成する工程と、支持体4上、ならびに電極2および3上に金属導体薄膜7を堆積させる方法によって金属導体部1を形成する工程とを経て製造される。【選択図】 図1B
Claim (excerpt)：
第1電極および第2電極と、 前記第1電極および前記第2電極上に電気的に接続された金属導体薄膜とを備えた電子デバイスであって、 前記金属導体薄膜は、前記第1電極および前記第2電極の底面に垂直な方向から見て、前記第1電極および前記第2電極間の隙間をブリッジする金属導体部を含み、 前記金属導体部のブリッジ長さLは、前記電子デバイスの作動温度における前記金属導体部中の電子の平均自由行程Λ以下であり、 前記電子デバイスは、前記ブリッジ長さLの隙間を空けて前記第1電極および前記第2電極を基板上に形成する工程と、 ナノチューブおよびナノワイヤーからなる群より選択される少なくとも1つを含み、前記底面に垂直な方向から見て、前記第1電極および前記第2電極間の隙間をブリッジする支持体を形成する工程と、 前記支持体上、ならびに前記第1電極および前記第2電極上に前記金属導体薄膜を堆積させる方法によって前記金属導体部を形成する工程とを経て製造されたことを特徴とする電子デバイス。
IPC (6)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105 ,  H01L29/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12
FI (6)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L29/06 601N ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
F-Term (8)：
5D034BA03 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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