不揮発性記憶装置およびそのデータ書込み方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：新居広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006061875
Publication number (International publication number)：2007241576
Application date： Mar. 07, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】ガーベッジコレクションの回数を減らし、データ書込みを高速に行うことができる不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】本発明における不揮発性記憶装置110は、アクセス装置100よりセクタ単位のデータである入力データが入力される不揮発性記憶装置110であって、前記セクタ単位より大きいページ単位でデータの書込みが行われる不揮発性の主記憶メモリ130と、前記入力データを、少なくともページ単位分保持する補助記憶メモリ122と、補助記憶メモリ122が前記ページ単位以上のデータを保持しているか否かを判定するメモリ判定部を含むCPU121と、前記メモリ判定部により補助記憶メモリ122が前記ページ単位以上のデータを保持していると判定された場合に、補助記憶メモリ122に保持されているデータを、主記憶メモリ130の新たなページに前記ページ単位で書込むメモリ制御部123とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

外部よりセクタ単位のデータである入力データが入力される不揮発性記憶装置であって、前記セクタ単位より大きいページ単位でデータの書込みが行われる不揮発性の主記憶メモリと、前記入力データを、少なくともページ単位分保持する補助記憶メモリと、前記補助記憶メモリが前記ページ単位以上のデータを保持しているか否かを判定するメモリ判定手段と、前記メモリ判定手段により前記補助記憶メモリが前記ページ単位以上のデータを保持していると判定された場合に、前記補助記憶メモリに保持されているデータを、前記主記憶メモリの新たなページに前記ページ単位で書込むメモリ制御手段とを備えることを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (2)：

G06F 12/00 , G06F 12/06

FI (3)：

G06F12/00 560B , G06F12/00 597U , G06F12/06 515K

F-Term (4)：

5B060AA02 , 5B060AC18 , 5B060CB01 , 5B060CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許6760805号公報
半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン

Cited by examiner (7)

メモリコントローラ,メモリ装置及びメモリコントローラの制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-275651 Applicant：株式会社東芝
記録装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-272810 Applicant：ソニー株式会社
主記憶制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-097994 Applicant：株式会社日立製作所, 日立中部ソフトウェア株式会社, 株式会社日立旭エレクトロニクス

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