サファイヤ基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999338716
Publication number (International publication number)：2001158691
Application date： Nov. 29, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaN等のIII族窒化物半導体やGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体を始めとする各種半導体を、良好にエピタキシャル成長させ歩留りの向上を図ることのできるサファイヤ基板を提供すること。【解決手段】半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる結晶成長面が基板のc軸から所定の角度で所定の方向に傾けて形成されたサファイヤ基板。

Claim (excerpt)：

半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、前記基板の前記エピタキシャル成長させる結晶成長面が、前記基板のc軸から所定の角度で所定の方向に傾けて形成されたことを特徴とするサファイヤ基板。

IPC (2)：

C30B 29/20 , H01L 33/00

FI (2)：

C30B 29/20 , H01L 33/00 C

F-Term (11)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-171342 Applicant：シャープ株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-285406 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179298 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (4)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-285406 Applicant：日亜化学工業株式会社
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fab

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