窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999179298
Publication number (International publication number)：2000082676
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 C軸に対して僅かに傾斜させたサファイア基板を用いることにより、エピタキシャル成長した窒化物系化合物半導体結晶の品質を向上し、極めて平滑な表面状態を提供する。【解決手段】 <0001>方向より0.05°から0.2°傾斜させた鏡面研磨サファイア001を基板とする。傾斜角を0.05°から0.2°に保つことによりサファイア基板上のステップ密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体膜が得られる。本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物を意味する。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物系化合物半導体の結晶を気相成長させる結晶成長方法であって、前記基板表面の結晶方位が<0001>方向より0.05°以上0.2°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253784 Applicant：三洋電機株式会社
半導体ウェハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336984 Applicant：日立電線株式会社
半導体積層薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020923 Applicant：旭化成工業株式会社

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Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253784 Applicant：三洋電機株式会社
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