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J-GLOBAL ID：200903042495374106

導体パターン形成方法

Inventor：
金井 敏信

About 金井 敏信


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 吉田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200050
Publication number (International publication number)：2001026880
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 所定の対象物に対して、ファインピッチ化されたパターンを容易かつ確実に形成できる導体パターン形成方法を提供する。【解決手段】 有機化合物を主原料とする対象物1の表面に、金属イオン(M+)を保持させる工程と、保持された金属イオン(M+ )を、対象物1の表面に還元析出させて触媒化する工程と、を含む導体パターン形成方法において、金属イオン(M+ )を保持させる工程を、対象物1を構成する有機化合物のカルボキシル基(-COOH)を導入した後に、当該カルボキシル基(-COOH)から水素イオン(H+ )を遊離させたカルボキシラートイオン(-COO- )に、金属イオン(M+ )を結合させることにより行う。好ましくは、有機化合物へのカルボキシル基(-COOH)の導入を、その側鎖ないし末端基を酸化することにより行う。また、有機化合物の側鎖ないし末端基の酸化または金属イオン(M+ )の触媒化を、対象物1にレーザ2にレーザ光を照射することにより行う。
Claim (excerpt)：
有機化合物を主原料とする対象物の表面に、金属イオンを保持させる工程と、保持された金属イオンを、上記対象物の表面に還元析出させて触媒化する工程と、を含む導体パターン形成方法であって、上記金属イオンを保持させる工程は、上記有機化合物にカルボキシル基を導入した後に、当該カルボキシル基から水素イオンを遊離したカルボキシラートイオンに、金属イオンを結合させることにより行われることを特徴とする、導体パターン形成方法。
IPC (2)：
C23C 18/30 ,  H01L 21/3205
FI (2)：
C23C 18/30 ,  H01L 21/88 B
F-Term (23)：
4K022AA42 ,  4K022BA35 ,  4K022CA03 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA15 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022CA23 ,  4K022DA01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP28 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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