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J-GLOBAL ID：200903042621411616
半導体集積回路装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003327046
Publication number (International publication number)：2005093838
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 半導体集積回路装置の組み立てにおける生産性の向上を図る。【解決手段】 多数個取り基板3gを準備した後、第1の加熱ステージ9b上に半導体チップを配置し、その後、第1の加熱ステージ9b上において前記半導体チップの上方に多数個取り基板3gを配置し、続いて、前記半導体チップを第1の加熱ステージ9bによって直接加熱しながら前記半導体チップと多数個取り基板3gとを熱圧着によって仮接合し、前記仮接合の後、第1の加熱ステージ9bに隣接して設けられた第2の加熱ステージ10b上に、前記仮接合した多数個取り基板3gを配置し、その後、第2の加熱ステージ10b上において前記半導体チップを第2の加熱ステージ10bによって直接加熱しながら、前記半導体チップを加圧して前記半導体チップと多数個取り基板3gとを熱圧着によって本接合する。【選択図】 図10
Claim (excerpt)：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)基板を準備する工程;
(b)複数の半導体チップを各々の主面を上方に向けてステージ上に配置する工程;
(c)前記複数の半導体チップの上方に前記基板を配置する工程;
(d)前記複数の半導体チップを一括して前記基板と熱圧着によって接合する工程。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/60 311T
, H01L21/50 C
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (5)
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半導体素子の実装装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-263336
Applicant：宮城沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-311540
Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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基板上に配列された構成部品、特に半導体チップを加工処理するための方法及び装置
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2000-592863
Applicant：アルファセム・アクチェンゲゼルシャフト
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