プラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法及び装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：浜野孝雄 , 森田哲二 , 平井輝一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005148574
Publication number (International publication number)：2006324603
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：

【課題】一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマCVD装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマCVD法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空槽内に、基板ホルダーと電極とを対向させて配置し、前記真空槽内にガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を供給することによりプラズマを発生し、前記基板ホルダーに載置した基板に対してプラズマ処理を行う容量結合型グロー放電を用いるプラズマ処理装置において、前記電極が、金属製電極本体と、前記基板ホルダーに対向する前記金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、前記基板ホルダーに対向する前記電極の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が前記電極の表面と同じ平面内に位置していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L21/205 , C23C16/505 , H01L21/302 101B

F-Term (36)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA06 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA08 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB01 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045GB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-113388 Applicant：国際電気株式会社
プラズマ処理装置、プラズマCVD装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板、半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-253733 Applicant：シャープ株式会社
プラズマを形成するための装置および方法ならびに電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-235565 Applicant：フジフォトフィルムビー.ブイ.

Cited by examiner (2)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板及び電極板製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-025007 Applicant：株式会社オクテック, 東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置及び処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-179235 Applicant：株式会社日立ハイテクノロジーズ

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