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J-GLOBAL ID：200903043154163197

磁気ランダムアクセスメモリ装置

Inventor：
芦田 裕

About 芦田 裕


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003111058
Publication number (International publication number)：2004319725
Application date： Apr. 16, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：
【課題】磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、磁気抵抗記憶素子のプロセスダメージを低減して、磁気抵抗効果特性の劣化を防止する。【解決手段】半導体基板上に、互いに交差する方向に配置された第1のワード線4とビット線3との交差領域にそれぞれ配置され、磁化方向が可変な第1の磁性体層6と磁性体方向が固定された第2の磁性体層8とが非磁性中間層7を介して積層された磁気抵抗記憶素子5と、ビット線3に交差する方向に配置された第2のワード線2をゲートとするアクセストランジスタ1とを備えた磁気ランダムアクセスメモリ装置の磁気抵抗記憶素子5の側部を囲む絶縁体としてSiO2 より水透過防止性能に優れた水透過防止膜10を用いる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、互いに交差する方向に配置された第1のワード線とビット線との交差領域にそれぞれ配置され、磁化方向が可変な第1の磁性体層と磁化方向が固定された第2の磁性体層とが非磁性中間層を介して積層された磁気抵抗記憶素子と、前記ビット線に交差する方向に配置された第2のワード線をゲートとするアクセストランジスタとを備えた磁気ランダムアクセスメモリ装置において、前記磁気抵抗記憶素子の側部を囲む絶縁体としてSiO2 より水透過防止性能に優れた水透過防止膜を用いたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ装置。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z
F-Term (20)：
5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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