半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003320121
Publication number (International publication number)：2005086175
Application date： Sep. 11, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】半導体薄膜を比較的短時間で切断でき、且つ切断面を比較的滑らかに形成することができる半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、並びに該半導体薄膜を備える電子管及び光検出素子を提供する。【解決手段】表面10a上にダイヤモンド薄膜12が形成されたSi基板10をチップ状に切断する際に、Si基板10及びダイヤモンド薄膜12の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより、多光子吸収による改質領域を形成し、該改質領域でもって切断予定ラインに沿った切断起点領域8a及び8bを形成する。そして、切断起点領域8a及び8bに沿ってSi基板10及びダイヤモンド薄膜12を切断する。【選択図】図20

Claim (excerpt)：

表面に半導体薄膜が形成された基板に対し、前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、該改質領域でもって切断予定ラインに沿った切断起点領域を形成する工程と、前記切断起点領域に沿って前記基板及び前記半導体薄膜を共に切断する工程とを備えることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/301 , B23K26/00

FI (3)：

H01L21/78 B , B23K26/00 310E , H01L21/78 V

F-Term (2)：

4E068AE01 , 4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

ダイヤモンドウエハのチップ化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279761 Applicant：住友電気工業株式会社
レーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-278768 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

Cited by examiner (6)

ダイヤモンドウエハのチップ化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279761 Applicant：住友電気工業株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-232788 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-328665 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page