半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393043
Publication number (International publication number)：2003197673
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】100μmピッチ以下で50ピン以上の電極を有するLSIチップを有機基板に直接搭載する半導体装置において、半導体装置の耐半田リフロー性,温度サイクル信頼性,高温高湿信頼性に優れた実装構造及び製造方法を提供すること。【解決手段】チップの電極Auバンプと、基板の接続端子の最表面のAu膜とをAu/Auの金属接合で直接フリップチップ接合する構造とし、Auバンプの接合部の伸びが2μm以上となる接合構造とした。その接合構造を得る方法として、接合両面をスパッタクリーニングしてから10分以内に超音波接合するプロセスとし、接合条件として、基板側:常温,チップ側:常温〜150°C,接合荷重:1/2S×100MPa〜S×180Mpa(S:バンプ/チップ間の接触面積),荷重モード:接合中に増加,超音波時間:50〜500msを選択して、上記構造を実現できることを発見した。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部が有機材料で構成された多層配線基板と、電子回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップと前記多層配線基板との間を埋める有機樹脂とを有する半導体装置において、前記多層配線基板上のチップ接続用端子下の少なくとも一部の構成部材が150°C以下のガラス転移温度を有する有機材料で構成され、チップ接続用端子の最小ピッチが100μmピッチ以下であり、チップ接続用端子の表面金属がNi-P/AuあるいはNi-P/Pd/Auのめっき層から構成され、かつAuやPd/Auの貴金属部の総厚さが0.005 〜0.3μm であり、半導体チップの電極端子にAuバンプが形成され、基板上の前記Au接続端子とチップの前記Auバンプが金属接合で接続されていることを特徴とする半導体装置。

F-Term (5)：

5F044KK02 , 5F044KK18 , 5F044KK19 , 5F044QQ03 , 5F044QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

多層プリント配線板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098461 Applicant：凸版印刷株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-214232 Applicant：三菱電機株式会社
特開平2-194182

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Cited by examiner (6)

多層プリント配線板及びその製造方法
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