窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997040238
Publication number (International publication number)：1997298343
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体を用いて効率のよい内部電流狭窄型及びリッジ導波路型の半導体レーザを提供する。【解決手段】第2クラッド層の上にドライエッチストップ層としてAl<SB>u</SB>Ga<SB>v</SB>In<SB>1-u-v</SB>N(0≦u、0<v、u+v≦1)を用い、さらにその膜厚を非常に薄くしてECR-RIBE法でエッチングする。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層上の第二導電型クラッド層の上に該クラッド層と同一導電型のドライエッチストップ層が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

窒化物系化合物半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034576 Applicant：株式会社日立製作所
半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-128187 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-154708 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-072648 Applicant：三菱電機株式会社
窒化物系化合物半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-034576 Applicant：株式会社日立製作所
光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066127 Applicant：日本電信電話株式会社

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