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J-GLOBAL ID：200903043575556295

磁気抵抗素子及び磁気メモリ

Inventor： 永瀬 俊彦 ,  吉川 将寿 ,  北川 英二 ,  西山 勝哉 ,  大坊 忠臣 ,  岸 達也 ,  與田 博明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007250283
Publication number (International publication number)：2009081314
Application date： Sep. 26, 2007
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、NaCl構造を有し、かつ(001)面に配向する窒化物から構成される下地層23と、下地層23上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつL10構造を有し、かつ(001)面に配向する強磁性合金から構成される第1の磁性層14と、第1の磁性層14上に設けられた第1の非磁性層16と、第1の非磁性層16上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層17とを含む。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

NaCl構造を有し、かつ(001)面に配向する窒化物から構成される第1の下地層と、 前記第1の下地層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつL10構造を有し、かつ(001)面に配向する強磁性合金から構成される第1の磁性層と、 前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第2の磁性層と、 を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (10)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/28 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/14 ,  H01L 29/82

FI (10)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/28 ,  H01F10/13 ,  H01F10/30 ,  H01F10/16 ,  H01F10/14 ,  H01L29/82 Z

F-Term (58)：

4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF15 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049BA08 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC32 ,  5F092BC33 ,  5F092BC46 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE11 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA23 ,  5F092CA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-172845   Applicant：株式会社東芝
• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-375476   Applicant：株式会社東芝
• 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-064178   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ、メモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-292035   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325394   Applicant：日本板硝子株式会社
• 平坦化トンネル磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-121121   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団
• 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-181979   Applicant：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学