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J-GLOBAL ID：200903043845818289
半導体製造装置のクリ-ニング方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289941
Publication number (International publication number)：2000200782
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】RuもしくはRuO2を成膜するCVD装置及び加工するエッチング装置の反応副生成物を効率良く除去し得るクリーニング方法を実現する。【解決手段】装置内を清浄化するエッチングガスとして例えばO原子、O3等の酸化ガスを用いることにより装置内に堆積または付着したRuを含む反応副生成物の除去クリーニングを可能とする。また、クリーニングを温度25〜250°C、そしてO3濃度5%以上で行うことにより、短時間でクリーニングを行うことを可能とする。更に、上記エッチングガスを用いることにより装置にダメージを与えずにクリーニングを行うことを可能とする。酸化ガスとしては、他にハロゲン化酸素やN2Oも使用できる。【効果】装置の稼働率を向上させ、更に異物の発生による製造歩留まりの低下を抑止する。
Claim (excerpt)：
RuもしくはRuO2を基板上に成膜するCVD装置のクリ-ニング方法、もしくは成膜されたRuもしくはRuO2をエッチングしてパターン形成を行うエッチング装置のクリ-ニング方法を含む半導体製造装置のクリ-ニング方法であって、前記いずれかの装置の少なくとも反応容器内壁に堆積または付着したRuを含む反応生成物を除去するに際して、前記反応生成物にO3、ハロゲン化酸素、N2O及びO原子の群から選ばれる少なくとも1種の酸化ガスを25〜250°Cで接触、反応させて除去するクリーニング工程を有して成る半導体製造装置のクリ-ニング方法。
IPC (7)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 645
, H01L 21/285
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 J
, H01L 21/304 645 Z
, H01L 21/285 C
, H01L 21/302 F
, H01L 21/302 N
, H01L 27/10 651
Cited by examiner (6)
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