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J-GLOBAL ID：200903044072773953

絶縁膜のエッチング方法

Inventor：
藤本 究

About 藤本 究

, 
和田 暢弘

About 和田 暢弘


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002248074
Publication number (International publication number)：2004087875
Application date： Aug. 28, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：
【課題】絶縁膜のエッチングにおいて良好な異方性(垂直)形状とマスクおよび下地膜の双方に対する高い選択比を確保しつつエッチストップを防止する。【解決手段】CHF3/Ar/N2の混合ガスを用いる第1ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でArガス供給源46よりArガスをパージングガスとして処理容器10内に送り込む。これによって、処理容器10内に残留していた水素や水素化合物がパージングガスに巻き込まれるようにして排気口10bから排気管52を通って排出される。このパージング工程の終了後に、C4F8/Ar/N2の混合ガスを用いて第2ステップのプラズマエッチングが行われる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理容器内でエッチングガスのプラズマを生成し、前記プラズマの雰囲気下で被処理基板上の絶縁膜をマスクパターンを介してエッチングする方法において、 前記処理容器内に炭素、フッ素および水素を含む第1のエッチングガスを導入して、前記絶縁膜を所望の深さまでエッチングする第1の工程と、 前記処理容器内に残留した水素および水素化合物の少なくとも一方を前記処理容器の外へ排出する第2の工程と、 前記処理容器内に炭素およびフッ素を含み水素を含まない第2のエッチングガスを導入して、前記絶縁膜のエッチングを引き続き行う第3の工程と を有する絶縁膜のエッチング方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/90 S
F-Term (33)：
5F004AA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BB13 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033SS11 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 膜の平坦化方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-138945   Applicant：三洋電機株式会社
  • 接続孔形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-051222   Applicant：日本電気株式会社
  • 表面処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276612   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
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Cited by examiner (5)
  • 膜の平坦化方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-138945   Applicant：三洋電機株式会社
  • 接続孔形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-051222   Applicant：日本電気株式会社
  • 表面処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276612   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立インダストリイズ
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