Pat

J-GLOBAL ID：200903044115368411

カーボンナノチューブの作製方法、及びカーボンナノチューブの作製装置

Inventor： 岸本 茂 ,  水谷 孝 ,  大野 雄高 ,  小島 慶祐
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学
Agent (8)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  大山 健次郎 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004032036
Publication number (International publication number)：2005187309
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】プラズマCVD法において、欠陥を有しない高品質なCNTを作製する。【解決手段】所定の成膜容器11内に設けられたカソード電極12に基板を配置する。次いで、カソード電極12の上方にグリッド電極17を配置する。次いで、成膜容器11内に原料ガスを流すとともに、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基板上にカーボンナノチューブを形成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

所定の成膜容器内に設けられたカソード電極に基板を配置する工程と、 前記カソード電極の上方にグリッド電極を配置する工程と、 前記成膜容器内に原料ガスを流すとともに、前記原料ガスをプラズマ化し、前記基板上にカーボンナノチューブを形成する工程と、 を具えることを特徴とする、カーボンナノチューブの作製方法。

IPC (2)：

C01B31/02 ,  B82B3/00

FI (2)：

C01B31/02 101F ,  B82B3/00

F-Term (8)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD29 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146DA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• プラズマ化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-280337   Applicant：学校法人漢陽学院
• 半導体製造装置のパ-ティクル除去装置及びパ-ティクルの除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-131772   Applicant：日本電気株式会社
• 薄膜作成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-093737   Applicant：日本真空技術株式会社

Cited by examiner (1)

• プラズマ化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-280337   Applicant：学校法人漢陽学院