半導体製造装置のパ-ティクル除去装置及びパ-ティクルの除去方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：畑泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131772
Publication number (International publication number)：2000003902
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板に付着するパーティクルを効率よく防止する。【解決手段】ガスに電圧を印加してプラズマ化することで基板3000を加工する半導体製造装置において、カソード電圧の停止した瞬間に処理室2100内の正に帯電したパーティクルを負電位を与えた電極15、グリッド13、カバー3600等によって、トラップまたは誘導するなどして、パーティクルが基板3000上へ到達することをを防止する。

Claim (excerpt)：

上部電極と下部電極間に高周波電圧を印加して処理室内をプラズマ化することで前記処理室内の基板を加工すると共に、前記基板を覆うカバーを設け、このカバーを閉状態にすることで前記基板を覆い、処理室内のパーティクルが前記基板に付着することを防止した半導体製造装置において、前記カバーの駆動タイミングを制御する第1の制御手段を設け、この制御手段が前記高周波電圧の印加を停止する直前に前記カバーを開状態から閉状態に制御することを特徴とする半導体製造装置のパーティクル除去装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

プラズマエツチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186215 Applicant：日新電機株式会社
半導体デバイスのプラズマ処理の間における粒子汚染を減少させる方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-225024 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
ECRプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-218968 Applicant：ソニー株式会社

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