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J-GLOBAL ID：200903044146840739

半導体基板の製造方法

Inventor： 八百 隆文 ,  ▲チョ▼ 明煥
Applicant, Patent owner： 株式会社 東北テクノアーチ ,  古河機械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  DOWAエレクトロニクス株式会社 ,  エピバレー株式会社
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006272323
Publication number (International publication number)：2008091729
Application date： Oct. 03, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を50°C以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

下地基板の上にクロム層を50°C以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、 前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程と、 を備えたことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18

FI (3)：

H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18

F-Term (32)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED05 ,  4G077EE06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F152LL03 ,  5F152LM08 ,  5F152LN03 ,  5F152LN16 ,  5F152LN18 ,  5F152LN19 ,  5F152LP08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN13 ,  5F152NN21 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP11 ,  5F152NP17 ,  5F152NP23 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体構造物およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-019656   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-062546   Applicant：日立電線株式会社
• 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-215342   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• MBE法による低温CrxNバッファ層を用いたGaNの成長