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J-GLOBAL ID:200903044242390019

全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000334514
Publication number (International publication number):2001216099
Application date: Nov. 01, 2000
Publication date: Aug. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。【解決手段】 全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置は、直に電子記憶媒体のアクセスを制御し、インタフェース・スタンダート機能を実現させるファームウェアを備え、外部記憶装置の読み書きに特殊なフォーマットを採用し、USBインタフェース・バスから電源を供給し、前記ファームウェアとそのドライバーとオペレーティンダ・システムとの協力で前記フッラシュ・メモリ1と記憶制御回路2を利用してデータを外部記憶装置に書き込むことを完成させる手段と、書込みを防止しデータの安全を確保する手段とを備える。
Claim (excerpt):
直流電源の使用と記憶媒体の使用とを備え、前記記憶媒体はフッラシュ・メモリ(Flash Memory)であり、但し1.採用された全てのエレメントとプリント基板とを一つの単一部品に組み込まれ、2.ソフトウェアの駆動で書き込み機能を実現させ(物理ドライバーを代替する)、3.書き込み操作中に全てのエレメント静止状態となること特徴とする全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法。
IPC (4):
G06F 3/08 ,  G06F 1/26 ,  G06F 1/32 ,  G06K 19/07
FI (4):
G06F 3/08 C ,  G06F 1/00 330 F ,  G06F 1/00 332 Z ,  G06K 19/00 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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