微小装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998225896
Publication number (International publication number)：2000058866
Application date： Aug. 10, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板の内部に設けた犠牲層の少なくとも一部を、いわゆる犠牲エッチングによって除去することにより、該基板の表面部分に該基板と微小間隔を隔てて対向する構造体を形成する微小装置の製造方法において、犠牲層を速やかにエッチング除去することのできる微小装置の製造方法を提供する。【解決手段】犠牲層(酸化膜203)に設けた溝204内にトンネル206(孔またはスポンジ状の堆積物)を形成する工程を設けることにより、犠牲エッチング時にはトンネルを経由してエッチング液が速やかに犠牲層内部に進入し、従って速やかに犠牲層が犠牲エッチングされる。

Claim (excerpt)：

基板の主面に第1の犠牲層を成膜する工程と、前記第1の犠牲層に溝を形成する工程と、前記溝内部を含む前記第1の犠牲層上に、エッチング液の浸透しやすいトンネルを有する第2の犠牲層を成膜する工程と、前記第2の犠牲層上に構造体を形成する工程と、前記第1の犠牲層および前記第2の犠牲層をエッチングし、前記構造体の下部に空洞領域を形成する工程と、を有することを特徴とする微小装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 , H01L 21/302

FI (2)：

H01L 29/84 Z , H01L 21/302 Z

F-Term (20)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA22 , 4M112CA31 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA06 , 4M112DA09 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112FA01 , 4M112FA20 , 5F004DB03 , 5F004DB09 , 5F004EA10 , 5F004EB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

微小機械およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071925 Applicant：日産自動車株式会社
加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-035514 Applicant：株式会社東海理化電機製作所
力トランスデューサを有する装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-141794 Applicant：エスエスアイテクノロジーズインコーポレイテッド

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