超微粒子あるいは超細線の形成方法およびこの形成方法による超微粒子あるいは超細線を用いた半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997258921
Publication number (International publication number)：1999097667
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】成長位置が制御可能であり、大きさおよび密度の高均一性と高再現性とを有する量子ドットおよび量子細線の形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板41にドライエッチ法で段差43を形成した後に表面にSiO2膜44を形成する。反応室内を10-8Torrまで真空排気した後に、10-2Torr以下の圧力下でSi2H6ガスを流して、Si結晶粒(量子ドット)45を段差43に沿って形成する。段差43は一般的なホトリソグラフィ技術とドライエッチ技術で形成するので、量子ドットの成長位置を容易に制御可能である。Si結晶粒45成長時のガス量や時間や基板温度を制御すれば、量子細線を形成したり、量子ドットの大きさや量子細線の太さを制御したりできる。こうして、量子ドットや量子細線の大きさや太さおよび密度の高均一性と高再現性とを実現し、特殊な微細加工技術を用いずに低コスト,高歩留まり,高生産性を実現する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に導電性を有する金属あるいは半導体の超微粒子あるいは超細線を形成する超微粒子および超細線の形成方法において、段差が形成された絶縁性基板を作成し、上記超微粒子あるいは超細線を上記段差の上縁に沿って選択的に形成することを特徴とする超微粒子あるいは超細線の形成方法。

IPC (9)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 33/00

FI (7)：

H01L 29/06 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/10 451 , H01L 33/00 A , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

量子細線及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-208790 Applicant：株式会社日立製作所
量子箱半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-148016 Applicant：キヤノン株式会社
表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-243363 Applicant：新技術事業団

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