半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997216545
Publication number (International publication number)：1999068150
Application date： Aug. 11, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダブルヘテロ型の発光素子において、クラッド層から活性層への不純物の拡散侵入を効果的に抑制することにより、発光特性の劣化を防ぎ、高輝度且つ長寿命を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】活性層の上下に積層されるクラッド層において、活性層近傍に、成長中断や、格子定数の調節により形成する歪み格子層を導入することにより、クラッド層にドープされた不純物がトラップされ、活性層への拡散侵入が阻止されて、高輝度且つ長寿命の半導体発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層の上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる活性層と、前記活性層の上に形成されたIII-V族化合物半導体からなる第2のクラッド層と、を備えた半導体発光素子であって、前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層のうちの少なくともいずれかにおいて、前記クラッド層から前記活性層に不純物が拡散侵入することを防ぐように、結晶欠陥を有する格子歪み層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-242952 Applicant：ソニー株式会社
AlGaInP半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-020245 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-287770 Applicant：富士通株式会社

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