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J-GLOBAL ID：200903044592637106

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor：
宿利 章二

About 宿利 章二


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015385
Publication number (International publication number)：2003218242
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 非導電性の電荷トラップ膜を電荷蓄積領域として用いる不揮発性メモリセルの読み出し電流を増加させ、また読み出しディスターブによる読み出し不良の発生を抑えることのできる技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1の主面方向にほぼ垂直に形成された円柱をメモリセルMC1のチャネル領域2とし、ソース3はチャネル領域2の下部に配置し、ドレイン4はチャネル領域2の上部に配置し、さらに円柱の側面に、第1絶縁膜6、非導電性の電荷トラップ膜7および第2絶縁膜8が順次堆積された積層膜を介して制御ゲート5が円柱の周囲を覆うように形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板にソース、ドレイン、前記ソースと前記ドレインとに挟まれたチャネル領域、および制御ゲートからなる不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記チャネル領域は前記半導体基板の主面に対してほぼ垂直方向に形成された円柱に配置され、前記ソースは前記チャネル領域の下部に配置され、前記ドレインは前記チャネル領域の上部に配置され、円柱状の前記チャネル領域の側面に前記制御ゲートがその周囲を覆って配置され、前記チャネル領域と前記制御ゲートの間に少なくとも第1絶縁膜、非導電性の電荷トラップ膜および第2絶縁膜からなる積層膜を有しており、前記円柱は、前記半導体基板と同一の構成材料からなる、または絶縁膜を支柱としてその周りを半導体膜で覆われてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4)：
H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
F-Term (66)：
5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP42 ,  5F083EP43 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP70 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER13 ,  5F083ER15 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA13 ,  5F083KA17 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR06 ,  5F083PR09 ,  5F083PR22 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD16 ,  5F101BD27 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD36 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05 ,  5F101BH08 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21 ,  5F101BH23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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